• bk4
  • bk5
  • bk2
  • bk3

1. ତତ୍ତ୍ୱ ପରୀକ୍ଷା ଏବଂ ବିଶ୍ଳେଷଣ |

3 ମଧ୍ୟରୁଟାୟାର୍ ଭଲଭ୍ |କମ୍ପାନୀ ଦ୍ provided ାରା ପ୍ରଦାନ କରାଯାଇଥିବା ନମୁନାଗୁଡିକ, 2 ହେଉଛି ଭଲଭ୍, ଏବଂ 1 ହେଉଛି ଏକ ଭଲଭ୍ ଯାହା ଏପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇନାହିଁ |A ଏବଂ B ପାଇଁ, ବ୍ୟବହାର ହୋଇନଥିବା ଭଲଭ୍ ଧୂସର ଭାବରେ ଚିହ୍ନିତ |ବିସ୍ତୃତ ଚିତ୍ର 1. ଭଲଭ୍ A ର ବାହ୍ୟ ପୃଷ୍ଠଟି ଅସ୍ଥାୟୀ, ଭଲଭ୍ B ର ବାହ୍ୟ ପୃଷ୍ଠଟି ଭୂପୃଷ୍ଠ, ଭଲଭ୍ C ର ବାହ୍ୟ ପୃଷ୍ଠ ହେଉଛି ଭଲ୍ଭ୍ C ର ବାହ୍ୟ ପୃଷ୍ଠ |ଭଲଭ୍ ଏ ଏବଂ ବି କ୍ଷତିକାରକ ଦ୍ରବ୍ୟ ସହିତ ଆଚ୍ଛାଦିତ |ଭଲଭ୍ A ଏବଂ B ବଙ୍କା ଉପରେ ଫାଟିଯାଏ, ବଣ୍ଡର ବାହ୍ୟ ଅଂଶ ଭଲଭ୍ ସହିତ, ଭଲଭ୍ ରିଙ୍ଗ୍ ପାଟି B ଶେଷ ଆଡକୁ ଫାଟିଯାଏ, ଏବଂ ଭଲଭ୍ A ପୃଷ୍ଠରେ ଫାଟିଯାଇଥିବା ପୃଷ୍ଠଗୁଡ଼ିକ ମଧ୍ୟରେ ଧଳା ତୀର ଚିହ୍ନିତ | ।ଉପରୋକ୍ତ ବିଷୟଗୁଡିକରୁ, ଫାଟଗୁଡିକ ସବୁଆଡେ ଅଛି, ଫାଟଗୁଡିକ ସବୁଠୁ ବଡ, ଏବଂ ଫାଟଗୁଡିକ ସବୁଆଡେ |

6b740fd9f880e87b825e64e3f53c59e

ର ଏକ ବିଭାଗଟାୟାର୍ ଭଲଭ୍ |A, B, ଏବଂ C ନମୁନାଗୁଡିକ ବଙ୍କା ଠାରୁ କଟାଯାଇଥିଲା, ଏବଂ ZEISS-SUPRA55 ସ୍କାନିଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପ୍ ସହିତ ଭୂପୃଷ୍ଠ ମର୍ଫୋଲୋଜି ପରିଲକ୍ଷିତ ହୋଇଥିଲା ଏବଂ ମାଇକ୍ରୋ-ଏରିଆ ରଚନା EDS ସହିତ ବିଶ୍ଳେଷଣ କରାଯାଇଥିଲା |ଚିତ୍ର 2 (କ) ଭଲଭ୍ ବି ପୃଷ୍ଠର ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚର୍ ଦେଖାଏ |ଏହା ଦେଖାଯାଇପାରେ ଯେ ଭୂପୃଷ୍ଠରେ ଅନେକ ଧଳା ଏବଂ ଉଜ୍ଜ୍ୱଳ କଣିକା ଅଛି (ଚିତ୍ରରେ ଧଳା ତୀର ଦ୍ୱାରା ସୂଚିତ), ଏବଂ ଧଳା କଣିକାର EDS ବିଶ୍ଳେଷଣରେ ଏସ୍ ର ଅଧିକ ବିଷୟବସ୍ତୁ ଅଛି, ଧଳା କଣିକାର ଶକ୍ତି ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରମ୍ ବିଶ୍ଳେଷଣ ଫଳାଫଳ | ଚିତ୍ର 2 (ଖ) ରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି |
ଚିତ୍ର 2 (ଗ) ଏବଂ (ଇ) ହେଉଛି ଭଲଭ୍ ବି ର ଭୂପୃଷ୍ଠ ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚର | ଚିତ୍ର 2 (ଗ) ରୁ ଏହା ଦେଖାଯାଏ ଯେ ଭୂପୃଷ୍ଠଟି ପ୍ରାୟତ corr କ୍ଷତିକାରକ ଦ୍ରବ୍ୟ ଦ୍ୱାରା ଆବୃତ, ଏବଂ ଶକ୍ତି ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରମ୍ ବିଶ୍ଳେଷଣ ଦ୍ corr ାରା କ୍ଷତିକାରକ ପଦାର୍ଥଗୁଡ଼ିକର କ୍ଷତିକାରକ ଉପାଦାନଗୁଡିକ | ମୁଖ୍ୟତ S S, Cl ଏବଂ O ଅନ୍ତର୍ଭୂକ୍ତ କରେ, ବ୍ୟକ୍ତିଗତ ପଦବୀରେ S ର ବିଷୟବସ୍ତୁ ଅଧିକ, ଏବଂ ଶକ୍ତି ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରମ୍ ବିଶ୍ଳେଷଣ ଫଳାଫଳଗୁଡିକ ଚିତ୍ର 2 (d) ରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି |ଚିତ୍ର ((ଇ) ରୁ ଏହା ଦେଖାଯାଇପାରେ ଯେ ଭଲଭ୍ ଏ ପୃଷ୍ଠରେ ଭଲଭ୍ ରିଙ୍ଗରେ ମାଇକ୍ରୋ-ଫାଟ ଅଛି | ଚିତ୍ର 2 (f) ଏବଂ (g) ହେଉଛି ଭଲଭ୍ C ର ଭୂପୃଷ୍ଠ ମାଇକ୍ରୋ-ମର୍ଫୋଲୋଜି, ଭୂପୃଷ୍ଠ ମଧ୍ୟ | କ୍ଷତିକାରକ ଦ୍ରବ୍ୟ ଦ୍ୱାରା ସମ୍ପୁର୍ଣ୍ଣ ଭାବରେ ଆଚ୍ଛାଦିତ, ଏବଂ କ୍ଷତିକାରକ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ ମଧ୍ୟ ଚିତ୍ର 2 (ଇ) ପରି S, Cl ଏବଂ O ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରେ |ଫାଟିବାର କାରଣ ହୁଏତ ଭଲଭ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଥିବା କ୍ଷତିକାରକ ଉତ୍ପାଦ ବିଶ୍ଳେଷଣରୁ ଚାପ କ୍ଷତିକାରକ କ୍ରାକିଂ (SCC) ହୋଇପାରେ |ଚିତ୍ର 2 (ଘ) ମଧ୍ୟ ଭଲଭ୍ ସି ର ଭୂପୃଷ୍ଠ ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚର ଅଟେ ଏହା ଦେଖାଯାଏ ଯେ ଭୂପୃଷ୍ଠଟି ଅପେକ୍ଷାକୃତ ପରିଷ୍କାର ଅଟେ, ଏବଂ EDS ଦ୍ analy ାରା ବିଶ୍ଳେଷଣ କରାଯାଇଥିବା ଭୂପୃଷ୍ଠର ରାସାୟନିକ ରଚନା ତମ୍ବା ମିଶ୍ରଣ ସହିତ ସମାନ, ଭଲଭ୍ ସୂଚାଇଥାଏ | ନଷ୍ଟ ହୋଇନାହିଁ |ତିନୋଟି ଭଲଭ୍ ପୃଷ୍ଠର ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପିକ୍ ମର୍ଫୋଲୋଜି ଏବଂ ରାସାୟନିକ ରଚନାକୁ ତୁଳନା କରି ଏହା ଦର୍ଶାଯାଇଛି ଯେ ଆଖପାଖ ପରିବେଶରେ S, O ଏବଂ Cl ଭଳି କ୍ଷତିକାରକ ମିଡିଆ ଅଛି |

a3715441797213b9c948cf07a265002

ବଙ୍କା ପରୀକ୍ଷଣ ମାଧ୍ୟମରେ ଭଲଭ୍ ବିର ଫାଟ ଖୋଲା ଯାଇଥିଲା ଏବଂ ଏହା ଜଣାପଡିଥିଲା ​​ଯେ ଫାଟଟି ଭଲଭ୍ର ସମଗ୍ର କ୍ରସ୍-ସେକ୍ସନ୍ ଭିତରକୁ ପ୍ରବେଶ କରି ନାହିଁ, ପଛପଟ ପାର୍ଶ୍ୱରେ ଫାଟି ଯାଇଛି ଏବଂ ବ୍ୟାକବେଣ୍ଡର ବିପରୀତ ପାର୍ଶ୍ୱରେ ଫାଟି ନାହିଁ | ଭଲଭ୍ ର |ଭଗ୍ନାବଶେଷର ଭିଜୁଆଲ୍ ଯା inspection ୍ଚ ଦର୍ଶାଏ ଯେ ଭଗ୍ନାବଶେଷର ରଙ୍ଗ ଗା dark ଼ ଅଟେ, ଯାହା ସୂଚାଏ ଯେ ଭଗ୍ନାବଶେଷଟି ଖରାପ ହୋଇଯାଇଛି, ଏବଂ ଭଗ୍ନାବଶେଷର କିଛି ଅଂଶ ଗା dark ଼ ରଙ୍ଗର, ଯାହାକି ସୂଚାଏ ଯେ ଏହି ଅଂଶଗୁଡ଼ିକରେ କ୍ଷୟ ଅଧିକ ଗମ୍ଭୀର |ଚିତ୍ର 3 ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି ସ୍କାନିଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନ ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପ ଅଧୀନରେ ଭଲଭ B ର ଭଙ୍ଗା ପରିଲକ୍ଷିତ ହୋଇଥିଲା | ଚିତ୍ର 3 (କ) ଭଲଭ ବି ଭଗ୍ନତାର ମାକ୍ରୋସ୍କୋପିକ ରୂପ ଦେଖାଏ |ଏହା ଦେଖାଯାଇପାରେ ଯେ ଭଲଭ୍ ନିକଟରେ ଥିବା ବାହ୍ୟ ଭଙ୍ଗା କ୍ଷତିକାରକ ଦ୍ରବ୍ୟ ଦ୍ୱାରା ଆଚ୍ଛାଦିତ ହୋଇଛି, ଯାହା ପୁନର୍ବାର ଆଖପାଖ ପରିବେଶରେ କ୍ଷତିକାରକ ମିଡିଆର ଉପସ୍ଥିତି ସୂଚାଇଥାଏ |ଶକ୍ତି ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରମ୍ ବିଶ୍ଳେଷଣ ଅନୁଯାୟୀ, କ୍ଷୟ ଉତ୍ପାଦର ରାସାୟନିକ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ ମୁଖ୍ୟତ S S, Cl ଏବଂ O ଅଟେ, ଏବଂ ଚିତ୍ର 3 (ଖ) ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି S ଏବଂ O ର ବିଷୟବସ୍ତୁ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଅଧିକ |ଭଙ୍ଗା ପୃଷ୍ଠକୁ ଦେଖିଲେ, ଏହା ଦେଖାଯାଏ ଯେ ଫାଟିବା ଅଭିବୃଦ୍ଧି pattern ାଞ୍ଚା ସ୍ଫଟିକ୍ ପ୍ରକାର ସହିତ ଅଛି |ଚିତ୍ର ((ଗ) ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି ଅଧିକ ସଂଖ୍ୟକ ଦ୍ secondary ିତୀୟ ଫାଟଗୁଡିକ ଅଧିକ ବୃଦ୍ଧିରେ ଭଙ୍ଗାକୁ ଦେଖି ମଧ୍ୟ ଦେଖାଯାଏ |ଦଳୀୟ ଖାଲଗୁଡ଼ିକ ଚିତ୍ରରେ ଧଳା ତୀର ସହିତ ଚିହ୍ନିତ |ଭଙ୍ଗା ପୃଷ୍ଠରେ କ୍ଷତିକାରକ ଦ୍ରବ୍ୟ ଏବଂ କ୍ରାକର ଅଭିବୃଦ୍ଧି s ାଞ୍ଚାଗୁଡ଼ିକ ପୁନର୍ବାର ଚାପର କ୍ଷୟ କ୍ରାକର ଗୁଣ ଦେଖାଏ |

b4221aa607ab90f73ce06681cd683f8

ଭଲଭ୍ A ର ଭଙ୍ଗା ଖୋଲାଯାଇ ନାହିଁ, ଭଲଭ୍ର ଏକ ବିଭାଗକୁ (ଫାଟିଯାଇଥିବା ସ୍ଥିତିକୁ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରି) ଅପସାରଣ କର, ଭଲଭ୍ ର ଅକ୍ଷୀୟ ବିଭାଗକୁ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡ୍ କରି ପଲିସ୍ କର ଏବଂ Fe Cl3 (5 g) + HCl (50 mL) + C2H5OH ( 100 ମି.ଲି.ଚିତ୍ର 4 (କ) ଭଲଭ୍ ର ଧାତବ ସଂରଚନାକୁ ଦର୍ଶାଏ, ଯାହା α + β ଦ୍ୱ ual ତ-ପର୍ଯ୍ୟାୟ ସଂରଚନା, ଏବଂ relatively ଅପେକ୍ଷାକୃତ ସୂକ୍ଷ୍ମ ଏବଂ ଗ୍ରାନୁଲାର୍ ଏବଂ α- ପର୍ଯ୍ୟାୟ ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସରେ ବିତରଣ |ପାରିପାର୍ଶ୍ୱିକ ଫାଟଗୁଡିକରେ ଫାଟ ବିସ୍ତାର s ାଞ୍ଚାଗୁଡ଼ିକ ଚିତ୍ର 4 (କ), (ଖ) ରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି |ଯେହେତୁ କ୍ରାକ୍ ପୃଷ୍ଠଗୁଡ଼ିକ କ୍ଷତିକାରକ ଦ୍ରବ୍ୟରେ ଭରପୂର, ଦୁଇଟି କ୍ରାକ୍ ପୃଷ୍ଠଗୁଡ଼ିକ ମଧ୍ୟରେ ବ୍ୟବଧାନ ପ୍ରଶସ୍ତ, ଏବଂ ଫାଟ ବିସ୍ତାର s ାଞ୍ଚାଗୁଡ଼ିକୁ ପୃଥକ କରିବା କଷ୍ଟକର |bifurcation ଘଟଣା |ଏହି ଦ୍ secondary ିତୀୟ ଫାଟଗୁଡିକ (ଚିତ୍ରରେ ଧଳା ତୀର ସହିତ ଚିହ୍ନିତ) ମଧ୍ୟ ଏହି ପ୍ରାଥମିକ ଫାଟ ଉପରେ ପରିଲକ୍ଷିତ ହୋଇଥିଲା, ଚିତ୍ର 4 (ଗ) ଦେଖନ୍ତୁ, ଏବଂ ଏହି ଦ୍ secondary ିତୀୟ ଖାଲଗୁଡ଼ିକ ଶସ୍ୟରେ ବିସ୍ତାର ହୋଇଥିଲା |ଏଚେଡ୍ ଭଲଭ୍ ନମୁନା SEM ଦ୍ observed ାରା ପାଳନ କରାଯାଇଥିଲା ଏବଂ ଏହା ଦେଖାଗଲା ଯେ ମୁଖ୍ୟ ଫାଟ ସହିତ ସମାନ୍ତରାଳ ଭାବରେ ଅନ୍ୟ ଅବସ୍ଥାରେ ଅନେକ ମାଇକ୍ରୋ-ଫାଟ ଅଛି |ଏହି ମାଇକ୍ରୋ-ଫାଟଗୁଡିକ ଭୂପୃଷ୍ଠରୁ ଉତ୍ପନ୍ନ ହୋଇ ଭଲଭ୍ ଭିତର ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ବିସ୍ତାର ହେଲା |ଫାଟଗୁଡିକ ଦ୍ୱିଗୁଣିତ ହୋଇ ଶସ୍ୟ ସହିତ ବିସ୍ତାର କରାଯାଇଥିଲା, ଚିତ୍ର 4 (c), (d) ଦେଖନ୍ତୁ |ଏହି ମାଇକ୍ରୋକ୍ରାକ୍ ଗୁଡିକର ପରିବେଶ ଏବଂ ଚାପ ସ୍ଥିତି ପ୍ରାୟ ମୁଖ୍ୟ ଫାଟ ସହିତ ସମାନ, ତେଣୁ ଏହା ଅନୁମାନ କରାଯାଇପାରେ ଯେ ମୂଖ୍ୟ କ୍ରାକର ପ୍ରସାର ଫର୍ମ ମଧ୍ୟ ଆନ୍ତ g ବିଭାଗୀୟ ଅଟେ, ଯାହା ଭଲଭ୍ ବି ର ଭଙ୍ଗା ପର୍ଯ୍ୟବେକ୍ଷଣ ଦ୍ୱାରା ମଧ୍ୟ ପ୍ରମାଣିତ ହୋଇଥାଏ | ଫାଟଟି ପୁନର୍ବାର ଭଲଭ୍ର ଚାପର କ୍ଷୟ କ୍ରାକର ଗୁଣ ଦେଖାଏ |

2. ବିଶ୍ଳେଷଣ ଏବଂ ଆଲୋଚନା

ମୋଟାମୋଟି କହିବାକୁ ଗଲେ, SO2 ଦ୍ caused ାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ଚାପର କ୍ଷୟ ଫାଟିବା ଦ୍ୱାରା ଭଲଭ୍ର କ୍ଷତି ହୋଇଥାଏ ବୋଲି ଅନୁମାନ କରାଯାଇପାରେ |ଚାପର କ୍ଷୟ କ୍ରାକିଂ ସାଧାରଣତ three ତିନୋଟି ସର୍ତ୍ତ ପୂରଣ କରିବା ଆବଶ୍ୟକ କରେ: (1) ଚାପ କ୍ଷୟ ପ୍ରତି ସମ୍ବେଦନଶୀଳ ସାମଗ୍ରୀ;(୨) ତମ୍ବା ମିଶ୍ରଣ ପ୍ରତି କ୍ଷତିକାରକ ମଧ୍ୟମ;(3) କିଛି ଚାପ ଅବସ୍ଥା |

ସାଧାରଣତ believed ବିଶ୍ believed ାସ କରାଯାଏ ଯେ ଶୁଦ୍ଧ ଧାତୁଗୁଡ଼ିକ ଚାପର କ୍ଷତିର ଶିକାର ହୁଅନ୍ତି ନାହିଁ, ଏବଂ ସମସ୍ତ ଆଲୋଇସ୍ ବିଭିନ୍ନ ସ୍ତରରେ ଚାପର କ୍ଷୟ ହେବାର ସମ୍ଭାବନା ଥାଏ |ପିତ୍ତଳ ସାମଗ୍ରୀ ପାଇଁ, ସାଧାରଣତ believed ବିଶ୍ believed ାସ କରାଯାଏ ଯେ ଦ୍ୱି-ପର୍ଯ୍ୟାୟ ସଂରଚନାରେ ଏକକ-ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଗଠନ ଅପେକ୍ଷା ଅଧିକ ଚାପର କ୍ଷୟ ସମ୍ବେଦନଶୀଳତା ଥାଏ |ସାହିତ୍ୟରେ ଏହା ରିପୋର୍ଟ କରାଯାଇଛି ଯେ ଯେତେବେଳେ ପିତ୍ତଳ ପଦାର୍ଥରେ ଥିବା Zn ବିଷୟବସ୍ତୁ 20% ରୁ ଅଧିକ ହୁଏ, ସେତେବେଳେ ଏହାର ଅଧିକ ଚାପ କ୍ଷୟ ହେବାର ସମ୍ଭାବନା ଥାଏ, ଏବଂ Zn ବିଷୟବସ୍ତୁ ଯେତେ ଅଧିକ, ଚାପର କ୍ଷୟ ସମ୍ବେଦନଶୀଳତା ମଧ୍ୟ ଅଧିକ ହୋଇଥାଏ |ଏହି କ୍ଷେତ୍ରରେ ଗ୍ୟାସ୍ ଅଗ୍ରଭାଗର ଧାତବ ସଂରଚନା ହେଉଛି α + β ଡୁଆଲ୍-ଫେଜ୍ ମିଶ୍ରଣ, ଏବଂ Zn ବିଷୟବସ୍ତୁ ପ୍ରାୟ 35%, 20% ରୁ ଅଧିକ, ତେଣୁ ଏହାର ଉଚ୍ଚ ଚାପର କ୍ଷୟ ସମ୍ବେଦନଶୀଳତା ରହିଛି ଏବଂ ଚାପ ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ସାମଗ୍ରୀକ ଅବସ୍ଥା ପୂରଣ କରେ | ଜର ଫାଟିବା |

ପିତ୍ତଳ ସାମଗ୍ରୀ ପାଇଁ, ଯଦି ଥଣ୍ଡା କାର୍ଯ୍ୟର ବିକୃତି ପରେ ଚାପ ରିଲିଫ୍ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ କରାଯାଏ ନାହିଁ, ଉପଯୁକ୍ତ ଚାପ ଅବସ୍ଥା ଏବଂ କ୍ଷତିକାରକ ପରିବେଶରେ ଚାପର କ୍ଷୟ ଘଟିବ |ଚାପ ଯାହା କ୍ଷୟ କ୍ଷୟ ସୃଷ୍ଟି କରେ ସାଧାରଣତ local ସ୍ଥାନୀୟ ଟେନସାଇଲ୍ ଚାପ, ଯାହା ଚାପ କିମ୍ବା ଅବଶିଷ୍ଟ ଚାପ ପ୍ରୟୋଗ କରାଯାଇପାରେ |ଟ୍ରକ୍ ଟାୟାର୍ ଫୁଲିଯିବା ପରେ ଟାୟାରରେ ଅଧିକ ଚାପ ହେତୁ ବାୟୁ ଅଗ୍ରଭାଗର ଅକ୍ଷୀୟ ଦିଗରେ ଟେନସାଇଲ୍ ଚାପ ସୃଷ୍ଟି ହେବ, ଯାହା ବାୟୁ ଅଗ୍ରଭାଗରେ ପାରିପାର୍ଶ୍ୱିକ ଫାଟ ସୃଷ୍ଟି କରିବ |ଟାୟାରର ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ଚାପ ଦ୍ caused ାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ଟେନସାଇଲ୍ ଚାପକୁ କେବଳ σ = p R / 2t ଅନୁଯାୟୀ ଗଣନା କରାଯାଇପାରେ (ଯେଉଁଠାରେ p ହେଉଛି ଟାୟାରର ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ଚାପ, R ହେଉଛି ଭଲଭ୍ର ଭିତର ବ୍ୟାସ, ଏବଂ t ହେଉଛି କାନ୍ଥର ଘନତା | ଭଲଭ୍) |ତଥାପି, ସାଧାରଣତ ,, ଟାୟାରର ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ଚାପ ଦ୍ୱାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ଟେନସାଇଲ୍ ଚାପ ଅଧିକ ନୁହେଁ ଏବଂ ଅବଶିଷ୍ଟ ଚାପର ପ୍ରଭାବକୁ ବିଚାର କରାଯିବା ଉଚିତ |ଗ୍ୟାସ୍ ନୋଜଲଗୁଡିକର ଫାଟିବା ସ୍ଥିତି ସବୁ ବ୍ୟାକବେଣ୍ଡରେ ଅଛି, ଏବଂ ଏହା ସ୍ପଷ୍ଟ ଯେ ବ୍ୟାକବେଣ୍ଡରେ ଅବଶିଷ୍ଟ ବିକୃତି ବଡ଼, ଏବଂ ସେଠାରେ ଏକ ଅବଶିଷ୍ଟ ଟେନସାଇଲ୍ ଚାପ ଅଛି |ବାସ୍ତବରେ, ଅନେକ ବ୍ୟବହାରିକ ତମ୍ବା ମିଶ୍ରିତ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକରେ, ଷ୍ଟ୍ରେସ୍ ଜର କ୍ରାକିଂ କ୍ୱଚିତ୍ ଡିଜାଇନ୍ ଚାପ ଦ୍ୱାରା ହୋଇଥାଏ, ଏବଂ ସେମାନଙ୍କ ମଧ୍ୟରୁ ଅଧିକାଂଶ ଅବଶିଷ୍ଟ ଚାପ ଦ୍ୱାରା ହୋଇଥାଏ ଯାହା ଦେଖାଯାଏ ନାହିଁ ଏବଂ ଅଣଦେଖା କରାଯାଏ |ଏହି ପରିପ୍ରେକ୍ଷୀରେ, ଭଲଭ୍ର ପଛ ପଟରେ, ଟାୟାରର ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ଚାପ ଦ୍ୱାରା ଉତ୍ପନ୍ନ ଟେନସାଇଲ୍ ଚାପର ଦିଗ ଅବଶିଷ୍ଟ ଚାପର ଦିଗ ସହିତ ସମାନ ଅଟେ ଏବଂ ଏହି ଦୁଇଟି ଚାପର ସୁପରପୋଜିସନ୍ SCC ପାଇଁ ଚାପ ସ୍ଥିତି ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ | ।

3. ସିଦ୍ଧାନ୍ତ ଏବଂ ପରାମର୍ଶ |

ଉପସଂହାର:

ର ଫାଟଟାୟାର୍ ଭଲଭ୍ |ମୁଖ୍ୟତ SO SO2 ଦ୍ caused ାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ଚାପର କ୍ଷୟ କ୍ରାକିଂ ଦ୍ୱାରା ହୋଇଥାଏ |

ପରାମର୍ଶ |

(1) ଚାରିପାଖରେ ଥିବା ପରିବେଶରେ କ୍ଷତିକାରକ ମାଧ୍ୟମର ଉତ୍ସ ଖୋଜ |ଟାୟାର୍ ଭଲଭ୍ |, ଏବଂ ଆଖପାଖର କ୍ଷତିକାରକ ମାଧ୍ୟମ ସହିତ ସିଧାସଳଖ ଯୋଗାଯୋଗରୁ ଦୂରେଇ ରହିବାକୁ ଚେଷ୍ଟା କରନ୍ତୁ |ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, ଭଲଭ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଆଣ୍ଟି-କରୋଜିନ୍ ଆବରଣର ଏକ ସ୍ତର ପ୍ରୟୋଗ କରାଯାଇପାରେ |
()) ଶୀତଳ କାର୍ଯ୍ୟର ଅବଶିଷ୍ଟ ଟେନସାଇଲ୍ ଚାପ ଉପଯୁକ୍ତ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଦ୍ୱାରା ଦୂର ହୋଇପାରିବ, ଯେପରିକି ନଇଁଯିବା ପରେ ଚାପ ରିଲିଫ୍ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ |


ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ସେପ୍ଟେମ୍ବର -23-2022 |